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La simulación de semiconductores 3D tiene el potencial de ser extremadamente útil cuando se desarrollan y mejoran las tecnologías de semiconductores reduciendo la cantidad de experimentos y fabricación requeridos para diseñar dispositivos complejos. El modelado de dispositivos 3D es un desafío debido a las escalas de longitud que deben resolverse, en combinación con la naturaleza no lineal de los fenómenos físicos del semiconductor, que a menudo requieren simulaciones computacionalmente exigentes.

En esta entrada del blog de COMSOL se muestra un ejemplo de simulación de un transistor bipolar 3D e importantes recomendaciones para el modelado efectivo de semiconductores 3D con COMSOL Multiphysics.


Visualización 3D del flujo de corriente a través del transistor bipolar a una tensión del colector de 1.5 V con una corriente de entrada de 2 μA aplicada a la base. Se muestra con flechas negras la corriente de electrones y con flechas blancas la de huecos. El color del corte representa la tensión a través del dispositivo.

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